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GATE - MOSFET NanoAAB™ + Aktiv-Bremse

GATE - MOSFET NanoAAB™ + Aktiv-Bremse
GATE - MOSFET NanoAAB™ + Aktiv-Bremse
GATE - MOSFET NanoAAB™ + Aktiv-Bremse
GATE - MOSFET NanoAAB™ + Aktiv-Bremse - MOSFET
MOSFET - GATE - MOSFET NanoAAB™ + Aktiv-Bremse
GATE - MOSFET NanoAAB™ + Aktiv-Bremse - MOSFET - Softair
Index: 12274
Hersteller: GATE
Größe
34,45 €
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NanoAAB ist der neueste MOSFET der 3. Generation mit aktiver Bremse. Durch den Einsatz modernster Transistoren und Mikroprozessoren ist es uns gelungen, den kleinsten und zuverlässigsten MOSFET auf dem Markt zu schaffen. Dank seiner speziellen Beschichtung ist er resistent gegen Witterungseinflüsse.

Hauptfunktionen:

MOSFET
Möchten Sie eine höhere Feuerrate und eine schnellere Auslösereaktion erreichen? Planen Sie eine Leistungssteigerung Ihres Gewehrs? In diesem Fall benötigen Sie einen MOSFET.

Er leitet die Energie aus der Batterie direkt an den Motor und umgeht so die mechanischen Abzugskontakte. Als Ergebnis erhalten Sie eine höhere Feuerrate des Gewehrs und eine schnellere Abzugsreaktion, und die Kontakte werden vor Durchbrennen geschützt.

Aktiv-Bremse
Liegt Ihnen der Realismus am Herzen? Möchten Sie die Lebensdauer des Getriebes erhöhen? Hat Ihr Gewehr eine so hohe Feuerrate, dass Sie nicht in der Lage sind, einen einzigen Schuss abzugeben? Die aktive Bremse wird Abhilfe schaffen.

Im SEMI-Modus erlaubt die Bremse nicht, den Kolben nach einem Schuss zusammenzudrücken. Der Kolben bleibt in der vorderen Position stehen, wodurch unnötige Spannungen vermieden werden und die Lebensdauer des Getriebes und seiner Teile erhöht wird. Das ist sehr wichtig, besonders bei einem AEG-Power-Upgrade.

Nach dem Loslassen des Abzugs hört das Gewehr sofort auf zu schießen. So gewinnen Sie mehr Realismus und verlieren zudem keine wertvolle Munition.

Elektronische Sicherung
Ein neuer MOSFET wird Sie auf dem Schlachtfeld nie im Stich lassen. Er ist vollständig gegen Überhitzung und Kurzschluss des elektrischen Systems geschützt. Sollte das Gewehr einmal klemmen, schützt er den Motor und die Batterie vor Schäden.

Digitale Schnittstelle
Es bietet volle Kompatibilität mit Mikroschaltern. Es ist vollständig resistent gegen Kontaktprellen. Sie erhalten einen größeren ROF, eine schnellere Auslösereaktion und Ihr MOSFET wird weniger erhitzt.

MOSFET der 3. Generation
Durch den Einsatz modernster Transistoren und Mikrocontroller ist es uns gelungen, den kleinsten und zuverlässigsten MOSFET auf dem Markt zu entwickeln.

Im Bausatz enthalten:
- zusätzlicher Bausatz von Deans-T-Steckern
- einfacher Signaldraht für Triggerkontakte
- doppelter Signaldraht für Triggerkontakte

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Für dieses Produkt zuständige Stelle in der EU
Hersteller
Gate Enterprise Sp. Z O.O. Sp. K.
Adresse: Torowa 3H
Postleitzahl: 30-435
Ort: Kraków
Land: Polen
Adresse E-Mail: sales@gatee.eu
Zuständige Stelle
GATE Enterprise sp. z o.o. sp. k
Adresse: Torowa 3H
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Ort: Kraków
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Adresse E-Mail: sales@gatee.eu
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